MESFET(mesfet工作原理)
MESFET
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金属半导体场效应晶体管
MESFET
metal-semiconductor FET
金属半导体场效应晶体管，又称肖特基势垒场效应晶体管，是利用金属半导体接触（或肖特基结）作为栅极结构，通过栅极（相对于源极）电压调制源、漏极间电导而构成的场效应晶体管。 1、分类按沟道种类：N沟道MESFET P沟道MESFET 按工作模式：耗尽型（D型）MESFET（常开型）---零栅压时有沟道存在 &nbs……
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金属半导体场效应晶体管，又称肖特基势垒场效应晶体管，是利用金属半导体接触（或肖特基结）作为栅极结构，通过栅极（相对于源极）电压调制源、漏极间电导而构成的场效应晶体管。
1、分类
按沟道种类：N沟道MESFET
P沟道MESFET
按工作模式：耗尽型（D型）MESFET（常开型）---零栅压时有沟道存在
增强型（E型）MESFET（常闭型）---零栅压时无沟道存在
2、特点
电流传输只由多数载流子承担，不存在少数载流子储存效应，有利于提高频率和开关速度。
为电压控制型器件，输入信号为电压
高输入阻抗，相当于肖特基结反偏时的阻抗。
高电平时，漏极具有负的温度系数，不易发生二次击穿
因为是多载流子器件，故抗辐射能力强
由于肖特基结正偏时栅极电流较大，故只能工作在栅压反偏的模式下
3、应用领域
化合物MESFET以分立器件形式或制成单片微波集成电路（MMIC）形式应用于以下领域
超高频放大和震荡
微波低噪声放大
微波功率放大
微波开关dianl
抗辐射电路
